高性价比共焦拉曼成像系统！

高分辨率！

出色的重复性！

使用全息透射光栅，光透过率高！

可扩展/ 定制！

200µm x 200µm 图像快速扫描 & 2D Mapping！

韩国NANOBASE公司专业生产高性价比共聚焦拉曼成像系统，为科学和工业领域提供最高性价比解决方案。新用户可以从购买基础款的XperRam Compact型拉曼光谱仪开始，之后可以通过不同的选项对拉曼光谱仪进行升级，以满足用户的不同需求。本系统操作简单，维护方便，对新接触拉曼光谱仪的用户十分友好，同时提供可扩展化和定制化的服务，能满足熟悉拉曼光谱仪的用户灵活配置的要求。

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XperRam Compact拉曼成像系统

韩国NANOBASE公司专业生产高性价比共聚焦拉曼成像系统，为科学和工业领域提供最高性价比解决方案。

新用户可以从购买基础款的XperRam Compact型拉曼光谱仪开始，之后可以通过不同的选项对拉曼光谱仪进行升级，以满足用户的不同需求。本系统操作简单，维护方便，对新接触拉曼光谱仪的用户十分友好，同时提供可扩展化和定制化的服务，能满足熟悉拉曼光谱仪的用户灵活配置的要求。

特性：

激光扫描：

- 优越的分辨率 & 重复性

resolution < 0.02 um & repeatability < 0.1 μm.

- 大面积拉曼成像范围

scan area exceeding 200 x 200 μm using a 40X, NA=0.75 objective

- 接近衍射极限的光斑，覆盖扫描区域

优越的光谱分辨率

- 1932像素CCD和1800lpmm刻线光栅提供高光谱分辨率和宽范围的拉曼移频

平均模式

- 高速平均模式

4秒内能获得200 x 200 µm区域的某一拉曼光谱

- 最小化CCD 读出噪声影响，

CCD在激光扫描同时获取拉曼光谱，能很大程度减少传统2D拉曼mapping方法中无法避免的读出噪声的影响

- 快速定量分析

能有效的快速分析载玻片中薄膜样品或纳米微粒

532nm激发光源

- 532nm激光可激发大多数拉曼光谱

优化的光路设计

- 小型化光谱仪和高度优化的光路保证系统紧凑且具有超高性能

主要技术参数

可选配置

窄带滤波器

>>Grade 2 (Available)

- Observe the Raman spectrum by 45cm-1 (Typ. 30cm-1)

>>Grade 3 (Available)

- Observe the Raman spectrum by 70cm-1 (Typ. 50cm-1)

激光扫描

- Optimized for raster scan

- Wavelength range: 450 ~ 700 nm

- FOV: 200 X 200 μm using a 40X objective

- Single Protected silver mirror (450~1000 nm) for XY scan

>> Laser scan controller

- USB 2.0

- Labview example provided

光功率控制

- Variable ND filter (OD 0.04~4)

偏振控制

>> Excitation polarization control

- 0~180° continuous rotation of excitation laser polarization

- Operating wavelength : 532±20 nm

- Utilize a zero order half-wave plate

>>Collection polarizer

- Operating wavelength: 420~700 nm

- Extinction ratio > 200:1

- Transmission > 83%

主要应用：

生物

- Cell research / Disease detection / Stents and implants

- Cosmetics and in vivo skin analysis

法医检测

-The non-destructive and in-situ identification of controlled drugs and narcotics.

制药学, 化妆品和食品学

-Characterization and Mapping of active pharmaceutical ingredients and excipients

半导体，太阳能电池和OLED

-Strain measurements of a Si cap layer deposited on a SiGe substrate determination of Ge content - Defects identification during the manufacturing process

- Defects identification during the manufacturing process

固体状态材料

- Analysis of Solid State Chemical Reactions and Composite

- Raman Maps Identify and Located Phases.

测试图例

(a) MoS2 sample microscope image

(b) 50x50μm size 0.3μm step Intensity mapping image

(c) 30x30μm size 0.1μm step Intensity mapping image

(d) 30x30μm size 0.1μm step Frequency mapping imag